Memoria ram

                                                          MEMORIA RAM 






     
      DEFINICION

La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory, cuyo acrónimo es RAM) es la       memoria desde donde elprocesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los módulos, la mayoría de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoriaBIOS puede realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

TIEMPO DE LATENCIA

Hay diversos tipos de tazas de refresco, pues cada chip que está integrado a la memoria tiene distintos pines, y cada uno (o cada grupo mejor dicho) cumple una función de I/O (Input/Output o Entrada/Salida en castellano) diferente, y en torno a éstas se determina una lectura/escritura más eficiente en la memoria

La RAM se organiza en forma de matriz de filas "rows" y columnas "columns", que a su vez se agrupan en bancos "banks"... es decir es una matriz de 3 dimensiones, de filas y columnas dentro de bancos.

Cuando se solicita un dato dentro de la memoria hay q darle la dirección donde se contiene, se hará especificando el banco. Dentro de él la fila, y a su vez la columna dentro de la fila.

Es decir no se lee solo una posición sino ráfagas enteras, para ello se mantiene fija la fila y el banco se va cambiando de columna para ir avanzando (si se llegase al final de fila, habría que cambiar a la siguiente, si se llegase al final de banco también habría q cambiar al siguiente). Así hasta finalizar la lectura del "burst" de datos que  interesa.

TIEMPO DE ACCESO 

La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeños capacitadores que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lógico del capacitador es igual a 1; en el caso contrario, es igual a 0, lo que implica que cada capacitador representa un bit de memoria.

Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el término exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina ciclo de actualización. Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualización de unos 15 nanosegundos (ns).

Cada capacitador está acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperación" o modificación del estado del capacitador. Estos transistores están dispuestos en forma de tabla (matriz), de modo que se accede a la caja de memoria (también llamada punto de memoria) 

BUFFER DE DATOS Y PARIDAD

El concepto del buffer es similar al de caché. Pero en el caso del buffer, los datos que se introducen siempre van a ser utilizados. En la caché sin embargo, no hay seguridad, sino una mayor probabilidad de utilización.

Para explicar la acepción informática a gente no técnica, se puede usar esta metáfora: Un buffer es como tener dinero en el banco (buffer), un trabajo (entrada) y unos gastos fijos (salida). Si tienes un trabajo inestable, mientras tengas ciertos ahorros, puedes mantener tus gastos fijos sin problemas, e ir ingresando dinero cuando puedas según vas trabajando. Si los ahorros son pequeños, en seguida que no tengas trabajo, no vas a poder acometer los gastos fijos. De la misma forma si escuchas música en Internet y tu programa de audio usa un buffer pequeño, en cuanto que haya alguna interrupción en la descarga (porque las descargas nunca tienen una velocidad constante), notarás cortes de sonido, ya que faltará información.

El buffer de teclado es una memoria intermedia en la que se van almacenando los caracteres que un usuario teclea, los cuales son tratados por el computador a penas se libere un recurso.

En Audio o video en streaming por Internet. Se tiene un buffer para que haya menos posibilidades de que se corte la reproducción cuando se reduzca o corte el ancho de banda.

Un buffer adecuado permite que en el salto entre dos canciones no haya una pausa molesta.

ESTRUCTURA FISICA DE LA MEMORIA RAM

Desde el punto de vista lógico, la memoria RAM puede considerarse como una serie de varios miles (o millones) de bits que pueden ser accedidos para lectura y escritura en grupos de 8 (en Bytes) mediante una dirección.  Pero hay dos aspectos que pueden interesar al programador:  uno se refiere a como se guardan algunos datos; otro es relativo a como se almacenan los ejecutables.

MEMORIA RAM VOLATIL O AELATORIA 

La memoria volátil de una computadora, contrario a memoria no volátil, es aquella memoria cuya información se pierde al interrumpirse el flujo de corriente eléctrica.

Originalmente también se les solía denominar memorias cientificas(de ahí RAM o Random Access Memory, memorias de acceso aleatorio). Aunque este nombre no le es el más apropiado ya que hoy en día todas las memorias en PC, sean volátiles o no como por ejemplo los discos duros, disquetes y demás dispositivos de almacenamiento disponen de un sistema de acceso al dato aleatorio, ya que en caso de disponer de un sistema de acceso secuencial éste tardaría mucho en cargar datos.

ALMACENAMIENTO DE UNA MEMORIA RAM 

Se denomina memoria a los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. En un sentido más amplio, puede referirse también a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Memoria de acceso aleatorio o RAM (Random Access Memory) es la memoria basada en semiconductores que puede ser leída y escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware. El acceso a las posiciones de almacenamiento se puede realizar en cualquier orden.

Los chips de memoria son pequeños rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchísimo más rápida, y que se borra al apagar el ordenador, no como éstos.

TIPOS DE MEMORIA RAM 

MEMORIAS SINCRONAS

SDR  SDRAM

PC66

PC100

PC133

MEMORIAS ASINCRONAS

DRAM

FPM-RAM

EDO-RAM

BEDO-RAM

MODULOS DE MEMORIA RAM 

DIP :

Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado. 

SIPP

Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

SIMM

Formato usados en computadores antiguos teniasn un bus de datos de 16 o 32 bits. Se inserta en zocalos sobre la placa base. los contactos en ambas caras esta interconectados .esta es la mayor diferencia respecto a sus secesores los DIMMs

DIMM 

Usado en computadoras de escritorio, se caracteriza por tener un bus de 64 bits, en vez de los 32 bits de las SIM. Utilizados en ordenadores personales. se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chip de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los modulos DIMM son reconocibles xternamente por poseer sus conntactos separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado estan unidos con los del otro. funciona a una frecuenca de 133 MHZ cada una.

MODULOS RAM PARA PORTATILES(SO-DIMM)

Tienen 100, 114,200 pines,. los de 100 soporta transferencia de datos de 32 bits mientras que los de 114 y 200 lo hacen a 64 bits, las SO-DIMM tienen mas o menos las msmas caracteristicas en voltaje y potencia de las DIMM corrientes, utilizando ademas los mismoas avances en la tengnologia ce memorias

MICRODIMM 

Memoria RAM 1GB micro-DIMM para portátil (23-10-2004, salvadorp - )La marca Swissbit lanza al mercado el primer módulo de memoria RAM para portátil con una capacidad de 1GB, algo casi impensable hasta hace poco, debido a las tecnologías existentes.

MODULO DE CONTINUIDAD SORIMM

El módulo de continuidad SORIMM es un módulo en blanco diseñado para ser insertado en cualquier conexión SORIMM sin uso en un subsistema de memoria Rambus. No existen componentes activos en el módulo de continuidad. El módulo de continuidad se utiliza para conectar trazos de la señal del Canal Rambus a través de conectores SORIMM sin uso, de tal manera que las señales Rambus terminen adecuadamente.

CHIPS Y MODULOS 

Nombre estándar	Velocidad del reloj	Tiempo entre señales	Velocidad del reloj de E/S	Datos transferidos por segundo	Nombre del módulo	Máxima capacidad de transferencia
DDR-200	100 MHz	10 ns	100 MHz	200 millones	PC1600	1600 MB/s
DDR-266	133 MHz	7,5 ns	133 MHz	266 millones	PC2100	2133 MB/s
DDR-333	166 MHz	6 ns	166 MHz	333 millones	PC2700	2667 MB/s
DDR-400	200 MHz	5 ns	200 MHz	400 millones	PC3200	3200 MB/s
DDR2-533	133 MHz	7,5 ns	266 MHz	533 millones	PC2-4300	4264 MB/s
DDR2-600	150 MHz	6,7 ns	300 MHz	600 millones	PC2-4800	4800 MB/s
DDR2-667	166 MHz	6 ns	333 MHz	667 millones	PC2-5300	5336 MB/s
DDR2-800	200 MHz	5 ns	400 MHz	800 millones	PC2-6400	6400 MB/s

 PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado (overclock).

DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos cuatro veces más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.

Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR3.

Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficaces.

RDRAM

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

Características RDRAM

Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y también trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de diseñarse como alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la DDR SDRAM.

XDR DRAM

XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento.

Esta tecnología elimina la inusual alta latencia que plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, también se centra en el ancho de banda soportado pos sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminos (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda. Rambus, posee todos los derechos sobre esta tecnología y actualmente esta implementada en la consola de vídeojuegos PlayStation 3.

XDR2 DRAM 

es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. Se anunció el 7 de julio de 2005 [1] y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. [cita requerida] Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM.

DRAM XDR2 

está diseñado para uso en los gráficos de gama alta de tarjetas y equipos de red.

Como compañía de semiconductores, Rambus sólo produce un diseño, sino que debe llegar a acuerdos con los fabricantes de memoria para producir chips DRAM XDR2, y ha habido una notable falta de interés en hacerlo [2].

DRDRAM

funciona más como un bus interno de un subsistema de memoria convencional. Se basa en lo que se llama el canal Direct Rambus, un bus de 16 bits de alta velocidad de circulación a una velocidad de reloj de 400 MHz. Al igual que con DDR SDRAM, las transferencias se realizan en los bordes de subida y bajada del reloj, dando un ancho de banda efectivo teórico de aproximadamente 1,6 Gbytes por segundo. Este es un enfoque totalmente diferente a la memoria de forma es en la actualidad acceso a través de un bus de memoria de ancho de 64 bits. Puede parecer contraproducente para estrechar el canal ya que reduce el ancho de banda, sin embargo, el canal es entonces capaz de funcionar a velocidades mucho más altas que sería posible si el autobús fueron amplios. Al igual que con SDRAM, DRDRAM hace uso de una serie de detectar la presencia (SPD) de chips para contar las características de la placa base cierta del módulo DRDRAM cuando se arranca el sistema.

SLDRAM

Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono (SLDRAM), o Memoria de acceso al azar dinámica de Synclink, es de alta velocidad memoria de acceso al azar similar a DRDRAM, no obstante sin el diseño propietario. Fue desarrollado por el consorcio de SLDRAM, que consiste en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria del ordenador. Es abra el estándar y no requiere los honorarios que licencian que son requeridos por la tecnología de DRDRAM.

Esta tecnología entrega funcionamiento grandemente mejorado sobre SDRAM tecnología sin el uso totalmente de una nueva arquitectura al igual que el DRDRAM. La llamada de las especificaciones para a 64-bit autobús funcionamiento en un reloj de 200 megaciclos frecuencia. Esto es alcanzada por todas las señales que están en la misma línea y de tal modo que evitan la época de sincronización de líneas múltiples. Como DDR SDRAM, SLDRAM puede funcionar en dos veces la tarifa de reloj del sistema que le da una velocidad eficaz de 400 megaciclos.

SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos (mientras esté alimentada) sin necesidad de circuito de refresco (no se descargan). Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

SYNC RAM

La ram estática síncrona a ráfagas ofrece datos de modo síncrono con lo que no hay retraso en los ciclos de lectura a ráfagas, con tiempo 2-1-1-1 ciclos de reloj. El problema está en velocidades de reloj superiores a los 66Mhz, puesto que los ciclos de reloj pasan a ser de 3-2-2-2 lo que es significativamente mas lento que la memoria Pipelined Burst SRAM. Éstos módulos de memoria casi se dan por muertos porque se fabrican en pocas cantidades y su precio es realmente elevado.

PIPELINED SRAM

Se trata del tipo de memoria empleada en los módulos caché actuales. Se trata de memoria estática pero que funciona a ráfagas mediante el uso de registros de entrada y salida, lo que permite solapar los accesos de lectura a memoria. Se trata de la memoria caché mas rápida de la actualidad, con soporte para los nuevos buses a 75Mhz o superiores (se habla de 133Mhz). Los tiempos de acceso son algo lentos (3-1-1-1 ciclos máquina) pero se compensa con la velocidad de acceso, que suele ser de 4.5 a 8 nanosegundos.

EDRAM

EDRAM significa "DRAM integrado", basado en un condensador de memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.

ESDRAM

Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, puediendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hast 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y DIGITAL. memoria DRAM.

VRAM

Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.

SGRAM

es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sin afectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM es de un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una, simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.

WRAM

Es con puerto dual y difiere brevemente de la anterior, es mejorada, se la activa o desactiva según la placa de video instalada.